Keysight Design Forum 2018 のご案内

   
 
【開催報告】
10/16(火)KDF2018 を開催しました。
300名を超えるお客様にご来場いただき、セミナー、ソリューション展示、パーティーと、
大盛況な一日となりました。

たくさんのご来場、誠にありがとうございました。
     
 
11回目を迎える今年の Keysight Design Forum は、御茶ノ水の新会場で皆様をお迎えします。
 
これらの3つのテーマで、17のセミナーを開催します。(各バナーをクリックするとトラックごとのスケジュールにジャンプします。)  
各テクノロジーの最先端でご活躍の講師の方を多数お招きし、シミュレーション活用事例と最新の技術動向についてご講演いただきます。
キーサイトEDAツールのアップデート情報や、測定器とのコラボレーション展示もお届けします。
設計効率の改善や、すぐに使える設計のヒントが満載のセミナーです。ご期待ください!
 
開催概要 
セミナータイトル Keysight Design Forum 2018
日 時 2018年10月16日(火) 9:50 ~17:00 (9:20より受付開始)
 ※ セミナー終了後に、ささやかながら Beer Party を開催しますので、ぜひご参加ください。
会 場   会場名:御茶ノ水ソラシティ カンファレンスセンター
住所:〒101-0062 東京都千代田区神田駿河台4-6
交通:JR中央・総武線 御茶ノ水駅 聖橋口 徒歩1分
東京メトロ 千代田線 新御茶ノ水駅 B2出口 直結
東京メトロ 丸ノ内線 御茶ノ水駅 出口1 徒歩4分
都営地下鉄 新宿線 小川町駅 B3出口 徒歩6分
会場アクセス(詳細はこちらをご覧下さい)
受 講 料 無料(事前申込制)
申込締切 定員になり次第締め切らせていただきます。お早めにお申し込みください。
※同業他社の方、および個人の方のご参加は、お断りさせて頂く場合がございます。 あらかじめご了承ください。
主 催 キーサイト・テクノロジー株式会社
お問合わせ先 キーサイト・イベント事務局   e-mail:keysight@cgc.co.jp
 
                       ※お申込は終了しました

自由に3つのトラックを行き来して、セミナーをお申込いただけます。(例:1コマ目 A1、2コマ目 C2)
※高速デジタルトラックの午前中は変則スケジュールとなっておりますのでお気をつけください。

Keysight Design Forum とは
「設計」、「開発」に携わるお客様を対象に、キーサイト製品の情報や使い方のご提案だけでなく、社外講師の方々による現実の解析事例に基づいた旬の技術情報を毎年お届けしています。また、会社の枠を超えた設計者の方々の交流の場としてもご活用いただいております。

Keysight Design Forum 2017 の様子をご紹介
2017年には 前年を超える293 名のお客様にご来場いただきました。
全18セッションのうち、7割以上のセッションで社外講師の方々から業界動向・解析事例を発表していただき、大盛況のうちに終了しました。
ご参加いただきました皆様、誠にありがとうございました。

(お客様の感想より)
-興味深いテーマ選択。厳選されたとても良いセミナーでした。
-今抱えている課題を帰ってすぐにADSでシミュレーションしたくなりました。
-大変勉強になり、仕事のモチベーションが上がった。
-学生時代の友人との再会がありました。



 
各トラック内容のご案内 
■RFマイクロウェーブ
Time ID Title
10:00-11:00 A1 5G実現に向けた電波伝搬及び伝送技術の検討状況 
株式会社NTTドコモ 5Gイノベーション推進室 5G無線技術研究グループ 主査 北尾 光司郎 様
本講演では、5Gの実現に向けた電波伝搬の検討状況についてミリ波帯を中心として紹介する。
また、実環境における伝送実験の結果を紹介する。 
 休憩
11:15-12:05 A2 電磁界解析のシミュレーター “RFPro” のご紹介とRFソリューション最新情報
Keysight Technologies, Inc. Design Engineer Software事業部 Product Manager Cedric Pujol
“RFPro”は、回路設計者のための新しい電磁界解析ツールです。回路シミュレーションと同じくらい容易に電磁界解析を行うことができ、且つ電磁界解析エキスパートの方にも柔軟なインターフェースを提供します。本セミナーでは、”RFPro”を日本で初めてご紹介するとともに、Design Engineer Software事業部からキーサイトEDAのRFソリューションの最新情報をお伝えします。
(このセッションは英語で行われます。)
     昼食(昼食を用意いたします。)
12:50-13:40 A3 高周波GaN-HEMTのRF動作解析について
住友電気工業株式会社 伝送デバイス研究所 5G無線研究部 デバイスモデリングエンジニア 菊池 憲 様
住友電工で取り組んでいる、高周波基地局アンプ向けGaN-HEMTのRF動作解析について紹介する。
動作解析のためには、正確なドレイン電流、電圧特性の観測が必要であり、パルスIV、低周波ロードプルなどの評価法について実例を用いて解説する。またそれらを用いたモデリング手法、また、寄生容量と高周波特性との関係についても述べる。
     休憩
13:55-14:45 A4 新ソリューション!! アクティブSパラメータ測定のご紹介
キーサイト・テクノロジー株式会社 ソリューションエンジニアリング本部 ソリューションエキスパート 長谷川 寛
従来のVNAではアンプの非線形領域における正しいSパラメータ及び出力パワー測定ができなかったのはご存知でしょうか?
本セミナーでは、これらの問題を解決する新しいアクティブSパラメータ測定ソリューションについてご紹介します。パワーアンプにおける最大出力パワーとロードインピーダンスの関係を、より正確に高速に測定する事が可能となります。併せて、関連するパワー誤差補正手法についてもご紹介します。
     Coffee Break
15:10-16:00 A5 マイコン・クロックによる輻射ノイズの分析
株式会社JVCケンウッド 技術開発部 無線R&Dグループ チーフ 藤井 利一 様
EMC問題は複雑で、対応するためにはノイズの見える化と定量的な分析が重要です。業務用無線機のマイコン・ノイズ(710MHz)抑制に、プリント基板上のデジタルGNDとアナログGNDに100pFを追加して対策しました。
本セミナーでは、ADS、PCBルールチェッカ、近傍磁界測定器を利用してそのメカニズムを検討した内容をご紹介いたします。
     休憩
16:10-17:00    他のトラックのセッションにご参加ください。
     すべてのセミナー終了後に、ささやかながら Beer Party を開催しますので、ぜひご参加ください。
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■高速デジタル
Time ID Title
9:50-10:30 B1  最新のSERDESからDDRまで対応するADS高速デジタル解析環境
キーサイト・テクノロジー株式会社 EDAソリューション統括部 アプリケーションエキスパート 明石 芳雄
昨今10Gbpsを超えたSERDESも増え、4Gbpsを超えたLPDDR4xも製品化されており今まで以上に事前解析の重要性が高まっています。本セミナーでは、PCIe等におけるイコライザのバックチャネル、DDR5で予定されているイコライザ、ますます重要になるPI解析の高精度化やパスコンの最適化、基板熱解析、SI解析の高周波対応等、市場ニーズに応じたアップデート情報と共に、プリからポストレイアウトまで高速デジタル設計に必要な解析を実現できるADSについて御紹介致します。
     休憩
10:40-12:10 B2 高速・長距離伝送シミュレーションにおけるケーススタディ
~V-by-One® US:16Gbps FFC/FPC伝送のSignal Integrity解析~
ザインエレクトロニクス株式会社 開発部 シニアエキスパート 河西 基文 様
山一電機株式会社 CN第1技術部 マネジャー 米沢 章 様
キーサイト・テクノロジー株式会社 EDAソリューション統括部 アプリケーションエキスパート 中溝 哲士
10Gbpsを超えるインタフェースを搭載する製品をリリースする上で、高精度なシミュレーションは不可欠な状況です。しかし、製品構成としては、デバイス、ボード、コネクタ、ケーブル等様々な要素から構成され、各々のリンクバジェットを全体として網羅することが困難です。
本セッションでは、4K/8K HFR HDRの伝送を目的とした1レーンあたり最大16Gbps伝送を実現するV-by-One® USを題材に、ザインエレクトロニクス株式会社様より仕様、デバイス、ボードについて解説を頂き、山一電機株式会社様より、16Gbpsに対応した高帯域コネクタ及びインサーションロスを低減した長距離FPCに関する技術を御紹介致します。また、キーサイトからは、上記に関するモデル化及びシミュレーション技術を御紹介致します。

※「V-by-One」はザインエレクトロニクス株式会社の登録商標です。
※ 本文中における各企業名、製品名等は、それぞれの所有者の商標あるいは登録商標です。
     昼食(昼食を用意いたします。)
12:55-13:35 B3 SI解析が気軽&簡単に出来るんです! SI環境構築の紹介
株式会社リコー Office Solution開発本部 Imaging & Devices開発センター 村田 和希 様
高速デジタルIFは、デジタル製品の全てのボードに使用されているといっても過言ではありません。しかし、それら全てに対してSI解析するには、解析専門家が少なすぎます。そこで、ボード設計者も簡単にSI解析ができるように、ADSを活用して環境を作りこみました。まだ道半ばですが、この取り組みを紹介致します。
     休憩
13:50-14:30 B4 LPDDR4の概要とプリント基板設計、シミュレーション事例
アポロ技研株式会社 要素技術推進部 部長 遠藤 聡 様
近年、その低消費電力や高速データ転送の優位性によりモバイルアプリケーション向け機器をはじめ多くの電子機器で採用が検討されているLPDDR4。本セッションでは、このLPDDR4の規格概要とプリント基板設計事例、および、シミュレーション事例をご紹介いたします。
     Coffee Break
14:55-15:55 B5  Simulationを使った不具合解析の効率化及び、製品コストとパフォーマンスの最適化 
グラナイトリバーラボ・ジャパン株式会社 代表取締役/Granite River Labs米国本社 Vice President of Engineering 高橋 幹 様 
インターフェース技術は高速化、複雑化をたどるいっぽう、市場からのニーズは小型化、高性能化など、多種、多様にわたり、設計者は日々、開発における無理難題の解決方法の模索や、発生する不具合をいかに短期間に収束させるかに頭を悩ませていることと思います。
本セミナーでは、それらを解決するヒントとして、ADSによるSimulationを使ったシステム不具合の解析事例と、製品コストとパフォーマンスの両立を実現するための最適解としてSimulationの活用を提案していきます。 
実機テストとSimulationを活用した不具合解析の効率化 
キーサイト・テクノロジー株式会社 ソリューションエンジニアリング本部 ソリューションエキスパート 佐貫 聡信 
Simulationを駆使して設計した製品であっても、設計通りの性能が出ているかを実測テストにより評価することは重要です。不具合要因は複合的で、実機においてはSimulationで想定していない原因が問題を引き起こすこともあります。問題解決のためには、様々な要因による影響を正しく切り分け、仮説に基づく検証の上、コストや時間も加味した最適な対策を見つけ出す必要があります。
本セミナーでは、不具合要因切り分けや対策の効果検証を、実測とSimulationを連携して効率的に行う手法をご紹介します。
     休憩
16:10-17:00 B6  高速デジタル設計・解析環境との連携/協調
株式会社図研 EDA事業部 EL開発部 シニア・パートナー 松澤 浩彦 様 
CADとCAEは、もっともっと連携/協調が可能な領域です。
解析のための準備作業を究極まで削減することにより、様々なバリエーションを解析で試すことができます。設計/解析データの構成管理も含めた、CADとCAEの連携/協調について説明します。 
     すべてのセミナー終了後に、ささやかながら Beer Party を開催しますので、ぜひご参加ください。
■パワーエレクトロニクス
Time ID Title
 10:00-11:00 C1  高di/dt時代におけるスイッチング電源設計 
Keysight Technologies, Inc. Design Engineer Software事業部 Product Manager for Power Electronics, Colin Warwick 
近年スイッチング電源の設計では、高速スイッチング動作が要求されています。しかし今までの設計では、レイアウトの寄生成分を正確に考慮できていないため、高いdi/dt動作と寄生成分(インダクタンス)により誘導されるサージ電圧を把握できず、効率的な電源設計ができない問題がありました。本セミナーでは、ADSを使用した、基板の影響を考慮したスイッチング電源解析フローをご紹介いたします。電磁界解析(Momentum)の基板モデルと、新しいADS PE libraryを使用した回路の協調解析を行うことで、正しくサージ電圧を把握し対策の視覚化が可能となります。
(このセッションは英語で行われます。) 
 休憩 
 11:15-12:05 C2  ワイドバンドギャップパワーデバイスの高速スイッチング動作を実現するためのモデリングと回路設計・評価 
国立大学法人大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻 システム・制御工学講座 教授 舟木 剛 様 
SiCやGan等のバンドギャップの大きい半導体によるパワーデバイスを用いた電力変換回路において、パワーデバイスの特長を活かすためには高速にスイッチング動作をさせることが必要である。電力変換回路においてパワーデバイスの高速スイッチング動作を実現するには、パワーデバイスおよびパッケージやプリント配線基板、受動素子等のもつ特性を把握し、回路設計・実装に適用しなければならない。一方で、低寄生成分化を図ったパッケージや高密度実装回路は、個々の構成要素の静特性についての実験的な評価は可能であるが、これを用いて構築した電力変換システムにおける電圧・電流などの状態量を非侵襲的に測定することが困難である。このため数値解析を援用した評価が必要となる。
本講演ではその概念について講述するとともに、実測および数値解析の具体例を挙げて説明する。 
 昼食(昼食を用意いたします。) 
 12:50-13:40 C3  パワーエレクトニクス測定におけるキーサイトの展望 
Keysight Technologies, Inc. Automotive Energy Solution/Power Application Business Manager, Thomas Goetzl 
パワーエレクトロニクス業界は、電力アプリケーションを拡大するために、革新的なバッテリー、ワイドバンドギャップ半導体、効率の良い電力変換など新しい技術が登場する一方、様々な課題に直面しています。これらの課題解決には、新たな計測技術を必要とします。
本セミナーでは、パワーエレクトロニクス市場におけるキーサイトの貢献と今後の展望、また開発中の計測技術をご紹介します。
(このセッションは英語で行われます。) 
     休憩 
 13:55-14:35 C4  パワーデバイスとそれを取り巻く技術群のロームにおける研究開発 
ローム株式会社 研究開発部 統括課長 中原 健 様 
SiC・GaNといったワイドギャップ半導体デバイスの持つ、スイッチングスピードの速さ・高耐圧で低いオン抵抗という特長を活かすにはアプリケーション開発自体が必要である。同時に、特にスイッチングスピードが速いため、ノイズ問題を引き起こす。
よって、ノイズ抑制技術も同時に重要となる。以上を鑑み、回路開発、付随する計測・計算技術の研究開発を行ってきた。本講演でその事例を紹介する。 
     Coffee Break 
 15:05-15:55 C5  電源回路設計者向けGaN HEMTモデル抽出と基板電磁界解析手法 
キーサイト・テクノロジー株式会社 EDAソリューション統括部 アプリケーションエキスパート 橋本 憲良 
SiCやGaNデバイスを電源回路に使用するとより高周波での動作を行うことができ、高効率化や部品の小型化が期待できます。しかしながら、予期しないサージやリンギングのため思ったとおりの回路を実現することはきわめて困難で、何度も試作を繰り返すことになってしまいます。
このセミナーでは、GaN HEMTトランジスタの測定、トランジスタモデルパラメータ抽出、基板の電磁界解析、電源回路解析の具体的操作手順を順を追ってご説明し、より高精度のシミュレーション結果を得る方法を紹介します。これにより、シミュレーションでの回路設計が可能となり、試作回数を削減することができます。 
     休憩 
 16:10-17:00 C6  受動部品・動的モデルの概要と応用例 
株式会社村田製作所 技術・事業開発本部 共通基盤技術センター CAD・CAE技術部 プリンシパルリサーチャー 日髙 青路 様 
村田製作所はシミュレーションによる電子機器の設計を支援するため、オンラインで利用できる設計支援ツールやモデルデータを提供しています。積層セラミックコンデンサの動的モデルは温度やDCバイアス電圧の依存性が反映可能であり、使用条件の異なる回路においても、より確度の高いシミュレーションの実現に貢献します。
本発表では受動部品と動的モデルの概要を説明するとともに、電源回路等への応用例を紹介します。 
     すべてのセミナー終了後に、ささやかながら Beer Party を開催しますので、ぜひご参加ください。 
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